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| 品牌OSI Optoelectronics | 有效期至長期有效 | 最后更新2022-04-11 14:31 |
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OSI Optoelectronics硅光電二極管技術指導
OSI Optoelectronics硅光電二極管技術指導
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一、硅光電二極管
1、通用光電二極管
產品介紹：
最廣泛使用的硅光電二極管對400至1100nm敏感。它們有多種有效區域尺寸可供選擇，從0.5毫米直徑開始。至28毫米直徑。提供多種封裝類型、密封TO罐、BNC和塑料外殼。
（1）光電導器件
光電導探測器系列適用于高速和高靈敏度應用。光譜范圍從350到1100nm，使這些光電二極管成為可見光和近紅外應用的理想選擇，包括脈沖激光源、LED或斬波光檢測等交流應用。
為了實現高速，這些檢測器應該是反向偏置的。例如，使用10V反向偏置可以實現10ns到250ns的典型響應時間。當施加反向偏壓時，電容減?。ㄈ缦聢D所示）直接對應于速度的增加。如規格表所示，反向偏壓不應超過30伏。較高的偏置電壓將對探測器造成永久性損壞。
由于反向偏壓會產生額外的暗電流，因此器件中的噪聲也會隨著施加的偏壓而增加。對于噪聲較低的探測器，應考慮使用光伏系列。
（2）光伏器件
光伏探測器系列用于需要高靈敏度和中等響應速度的應用，藍色增強系列在可見藍色區域具有額外的靈敏度。光譜響應范圍為350至1100nm，使常規光伏器件成為可見光和近紅外應用的理想選擇。對于350至550nm區域的額外靈敏度，藍色增強器件更適合。
這些探測器具有高分流電阻和低噪聲，并表現出長期穩定性。這些探測器的無偏操作在直流或低速應用中的寬溫度變化下提供穩定性。對于高光水平（大于10mW/cm2），應考慮使用光電導系列檢測器以獲得更好的線性度。
這些檢測器并非設計為反向偏置！稍有偏差即可獲得響應時間的非常輕微的改進。施加超過幾伏(>3V)的反向偏壓將永久損壞探測器。如果需要更快的響應時間，應考慮光電導系列。
（3）藍色增強型光電二極管
藍色增強型探測器系列用于需要在可見藍色區域具有高靈敏度和中等響應速度的應用。與常規光伏器件相比，這些檢測器在350至550nm區域提供額外的靈敏度。對于可見光和近紅外應用，即光譜響應范圍從350到1100nm，可以考慮使用常規光伏器件。
這些探測器具有高分流電阻和低噪聲，并表現出長期穩定性。這些探測器的無偏操作在直流或低速應用中的寬溫度變化下提供穩定性。對于高光水平（大于10mW/cm2），應考慮使用光電導系列檢測器以獲得更好的線性度。
（4）背照式SMT光電二極管
BI-SMT產品系列是單通道背照式光電二極管，專門設計用于最大限度地減少設備邊緣的“死區”。每個設備都設計在一個尺寸與芯片本身非常相似的封裝上。這種設計允許多個探測器以平鋪形式排列，并易于耦合到閃爍體。
2、高速硅光電二極管
產品介紹：
這些探測器是在800nm波段優化的小型有源區域探測器，具有快速上升時間，適用于高帶寬應用（高達1.25GHz）?？捎闷揭暣盎蛭⑼哥R窗TO18即可。
（1）100Mbps至622Mbps光電二極管
OSIOptoelectronics的大有源區域和高速硅探測器系列旨在可靠地支持短程數據通信應用。在3.3V偏置下，它們都表現出低暗電流和低電容?；締卧捎?針TO-46封裝，帶有微型鏡頭蓋或AR涂層平面窗口。標準光纖插座（FC、ST、SC和SMA）允許將OSIOptoelectronics
的快速硅光電二極管輕松集成到系統中。
（2）1.25Gbps光電二極管
OSIOptoelectronics的大有源區域和高速硅PIN光電二極管系列擁有針對850nm短程光數據通信應用優化的大傳感區域。光電探測器在3.3V時表現出高響應度、寬帶寬、低暗電流和低電容。
光電二極管可用于所有850nm收發器和高達1.25Gbps的GBIC應用，例如千兆以太網和光纖通道。該芯片采用3引腳TO-46封裝隔離，可選擇微透鏡蓋或AR涂層平面窗口。它們還提供標準光纖插座，例如FC、ST、SC和SMA。
3、紫外線增強型光電二極管
產品介紹：
這些探測器通常在200到1100nm之間敏感，通常采用石英或紫外線透射玻璃窗封裝。它們表現出低暗電流，并且可以反向偏置以實現更低的電容和更快的上升時間性能。
（1）反轉層光電二極管
OSIOptoelectronics提供兩個不同系列的紫外線增強型硅光電二極管。反轉通道系列和平面擴散系列。這兩個系列的設備都是專門為電磁光譜紫外區的低噪聲檢測而設計的。
反轉層結構UV增強型光電二極管具有100%的內部量子效率，非常適合低強度光測量。它們具有高分流電阻、低噪聲和高擊穿電壓。施加5至10伏的反向偏壓可提高整個表面的響應均勻性和量子效率。與擴散器件相比，反轉層器件的光電流非線性設置在較低的光電流下。在
700nm以下，它們的響應度隨溫度變化不大。
（2）平面擴散光電二極管
OSIOptoelectronics提供兩個不同系列的紫外線增強型硅光電二極管。反轉通道系列和平面擴散系列。這兩個系列的設備都是專門為電磁光譜紫外區的低噪聲檢測而設計的。
平面擴散結構（UV-D系列）UV增強型光電二極管與反型層器件相比具有顯著優勢，例如更低的電容和更快的響應時間。與反型層器件相比，這些器件在更高的光輸入功率下表現出光電流線性。它們在長時間暴露于紫外線下時提供更好的穩定性。
（3）平面擴散紅外抑制光電二極管
OSIOptoelectronics提供兩個不同系列的紫外線增強型硅光電二極管。反轉通道系列和平面擴散系列。這兩個系列的設備都是專門為電磁光譜紫外區的低噪聲檢測而設計的。
平面擴散結構（UV-E系列）UV增強型光電二極管與反型層器件相比具有顯著優勢，例如更低的電容和更快的響應時間。與反型層器件相比，這些器件在更高的光輸入功率下表現出光電流線性。它們在長時間暴露于紫外線下時提供更好的穩定性。
4、X射線和輻射探測器
產品介紹：
這些硅光電二極管專為X射線區域的額外靈敏度而設計，無需使用閃爍體晶體或屏幕。靈敏度范圍從200nm到0.07nm（6eV到17.6keV）或17.6keV及以上。通?？商峁┛刹鹦洞翱?，并且可以與真空兼容。
（1）軟X射線、遠紫外增強型光電二極管
OSIOptoelectronics的1990年R&D100獲獎X-UV檢測器系列是一種獨特的硅光電二極管，旨在提高電磁光譜X射線區域的靈敏度，而無需使用任何閃爍體晶體或屏幕。在200nm至0.07nm（6eV至17,600eV）的寬靈敏度范圍內，每3.63eV的入射能量產生一對電子-空穴對，這對
應于Eph/3.63eV預測的極高穩定量子效率（見圖以下）。對于高于17.6keV的輻射能量的測量，請參閱“完全耗盡的高速和高能輻射探測器”部分。
（2）完全耗盡的光電二極管
這些大有源面積高速檢測器可以完全耗盡，以實現盡可能低的結電容以實現快速響應時間。它們可以在更高的反向電壓下運行，達到最大允許值，以實現更快的納秒響應時間。此時的高反向偏壓增加了結上的有效電場，因此增加了耗盡區的電荷收集時間。請注意，這是
在不犧牲高響應度和活動區域的情況下實現的。
（3）多通道X射線探測器
該系列由16個元件陣列組成：各個元件組合在一起并安裝在PCB上。對于X射線或伽馬射線應用，這些多通道探測器提供閃爍體安裝選項：BGO、CdWO4或CsI(TI)。BGO（鍺酸鉍）是一種理想的吸收劑：它在高能檢測應用中被廣泛接受。CdWO4（鎢酸鎘）具有足夠高的光輸出
，有助于改善光譜分析結果。CsI（碘化銫）是另一種高能量吸收劑，可提供足夠的抗機械沖擊和熱應力的能力。當耦合到閃爍體時，這些硅陣列通過散射效應將任何中等或高輻射能量映射到可見光譜。此外，他們專門設計的PCB允許端到端連接。在需要更大規模組裝的
情況下可以部署多個陣列。
5、光電二極管列陣
產品介紹：
具有不同尺寸和間距的有源區域的線性或二維陣列，以適應各種應用。提供LCC、DIP芯片載體、PCB、陶瓷或單片可焊接裸芯片。
（1）多元件光電二極管陣列
多通道陣列光電探測器由多個彼此相鄰放置的單個元件光電二極管組成，形成一維傳感區域公共陰極基板。他們可以同時測量移動光束或許多波長的光束。它們具有低電串擾和相鄰元件之間的超高均勻性，可實現非常高精度的測量。
當需要大量檢測器時，陣列提供了一種低成本的替代方案。檢測器針對紫外、可見光或近紅外范圍進行了優化。然后可以在光電導模式（反向偏置）下運行以減少響應時間，或者在光伏模式（無偏置）下運行以用于低漂移應用。
（2）二維光電二極管陣列
PIN-4X4D是一個4x4陣列的超藍增強型光電探測器。我們的專有設計在所有16個元素之間提供了幾乎完全的隔離。標準LCC封裝可輕松集成到您的表面貼裝應用中。許多應用包括比率和散射測量，以及位置傳感。如需定制封裝、特殊電光要求或以裸片形式訂購這些部件，
請聯系我們的應用組。
6、Nd-YAG優化光電二極管
產品介紹：
YAG系列光電探測器針對1060nm的高響應、YAG激光波長和低電容進行了優化，可實現高速運行和低噪聲。這些探測器可用于感測低光強度，例如用于測距應用的YAG激光束照射的物體反射的光。SPOT系列象限探測器非常適合瞄準和指向應用。這些都是NonP設備。這些探測
器可用于光伏模式，用于需要低噪聲的低速應用，或用于光電導模式，應用反向偏壓，用于高速應用。
7、雪崩光電二極管
產品介紹：
硅雪崩光電二極管利用內部乘法來實現因碰撞電離而產生的增益。結果是優化的高響應度設備系列，表現出出色的靈敏度。OSIOptoelectronics提供多種尺寸的探測器，可用于光纖應用的平面窗口或球透鏡。
8、光電二極管放大器混合器
產品介紹：
這些探測器與前置放大器集成在同一個封裝內。它們產生與入射光強度成比例的電壓輸出。各種增益和帶寬由客戶選擇的外部反饋組件決定。
（1）PHOTOP系列
Photop™系列在同一封裝中結合了光電二極管和運算放大器。Photop™通用檢測器的光譜范圍為350nm至1100nm或200nm至1100nm。它們具有集成封裝，可確保在各種操作條件下實現低噪聲輸出。這些運算放大器由OSIOptoelectronics工程師專門選擇，以兼容我們的光電二
極管。
其中許多特定參數是低噪聲。低漂移和支持由外部反饋組件確定的各種增益和帶寬的能力。對于低速、低漂移應用的無偏配置或偏壓以獲得更快的響應時間，都可以從DC電平到幾MHz運行。LN系列Photops將與OV偏置一起使用。
（2）1.25Gbps光電二極管放大器混合器
FCI-H125G-10：低噪聲、高帶寬光電探測器和跨阻放大器，專為短波長(850nm)高速光纖數據通信而設計。該混合器包含一個直徑為250µm的大傳感區域、高靈敏度硅光電探測器。它還包括一個高增益跨阻放大器，該放大器產生一個差分輸出電壓，用于鎖存到用于千兆以
太網和光纖通道應用的電光接收器和收發器的后置放大器，通過多模光纖傳輸速率高達1.25Gbps。光電探測器將光轉換為電信號，同時輸出電壓隨著光的輸入/輸出而增加。這是通過單個+3.3V至+5V正電源實現的。
（3）BPX65-100
BPX65-100接收器包含一個與NE5212(Signetics)跨阻放大器耦合的BPX-65超高速光電二極管。標準產品包括ST和SMA連接器版本。
9、光電二極管濾波器組件
產品介紹：
濾光片為定制硅光電二極管的光譜響應提供了一種低成本且有效的解決方案。光度檢測器和輻射檢測器通常是通過使用集成濾光片來設計的。
（1）檢測濾光片組合系列
探測器-濾光片組合系列包含一個濾光片和一個光電二極管，以實現定制的光譜響應。OSIOptoelectronics提供多種標準和定制組合。根據要求，所有檢測器-過濾器組合都可以提供NIST可追溯校準數據，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺燭光指定。在
許多可能的定制組合中，以下是一些可作為標準部件提供的檢測器-過濾器組合。
PIN-10AP-是一個1cm2有效面積、BNC封裝檢測器-過濾器組合，可復制最常用光學輔助設備的響應；人眼。眼睛感知亮度和顏色，響應隨波長而變化。該響應曲線通常稱為CIE曲線。AP濾光片將CIE曲線精確匹配到面積的4%以內。
PIN-555AP-具有與PIN10-AP相同的光學特性，在同一封裝中具有額外的運算放大器。封裝和運算放大器組合與UDT-555D探測器-放大器組合(PhotopsTM)相同。
PIN-005E-550F-使用具有550nm峰值透射率的低成本寬帶通濾波器來模擬光度應用的CIE曲線。通帶與CIE曲線相似，但光譜響應曲線的實際斜率卻大不相同。該設備還可用于阻擋700nm及以上光譜范圍的近紅外部分。
PIN-005D-254F-是一個6mm2有效面積、紫外增強型光電二極管-濾光片組合，它使用峰值為254nm的窄帶通濾光片。
（2）眼睛反應檢測器
E系列光電二極管是帶有高質量色彩校正濾光片的藍色增強探測器。產生的光譜響應近似于人眼的光譜響應。
除了列出的E系列光電二極管外，OSIOptoelectronics還可以為該目錄中的其他光電二極管提供各種濾光片
10、可焊芯片光電二極管
產品介紹：
一種低成本方法，適用于需要大有源面積光電探測器或探測器被認為是“一次性”的應用。提供焊接引線或作為獨立裸片。靈敏度范圍從400nm到1100nm。
（1）光電導可焊芯片
可焊接光電二極管芯片系列為需要大有源面積光電探測器的應用提供了一種低成本的方法，該光電探測器具有或不具有飛線，以便于組裝和/或探測器被認為是“一次性”的情況。它們具有低電容、中等暗電流、寬動態范圍和高開路電壓。這些探測器有兩條3"長的引線，
分別焊接到正面（陽極）和背面（陰極）。光電導可焊系列(SXXCL)用于低電容和快速響應應用。
（2）光伏可焊芯片
可焊接光電二極管芯片系列為需要大有源面積光電探測器的應用提供了一種低成本的方法，該光電探測器具有或不具有飛線，以便于組裝和/或探測器被認為是“一次性”的情況。它們具有低電容、中等暗電流、寬動態范圍和高開路電壓。這些探測器配有兩條3英寸長的
引線，分別焊接到正面（陽極）和背面（陰極）。光伏可焊接系列(SXXVL)用于低噪聲應用。
11、位置感應探測器
產品介紹：
以下是專為位置傳感應用而設計的產品。分段和橫向效應PSD可用于1維或2維活動區域。有多種有效區域尺寸和封裝可供選擇，以適應廣泛的應用。分段檢測器通常用于光束歸零應用，而橫向效應PSD最適合測量寬橫向位移。
（1）分段光電二極管
SPOT系列是普通基板光電探測器，分為兩(2)或四(4)個獨立的有源區域。它們可在相鄰元件之間具有0.005"或0.004"明確定義的間隙，從而在元件之間產生高響應均勻性。SPOT系列非常適合非常精確的調零或定心應用。當光斑直徑大于細胞間距時，可以獲得位置信息。
（2）和差放大器模塊
QD7-0-SD或QD50-0-SD是帶有相關電路的象限光電二極管陣列，可提供兩個差分信號和一個和信號。兩個差信號是由相對的光電二極管象限元件對感測的光的相對強度差的電壓模擬。此外，所有4個象限元素的放大總和作為總和信號提供。這使得QD7-0-SD或QD50-0-SD成為
光束歸零和定位應用的理想選擇。非常精確的光束對準是可能的，該電路也可用于目標獲取和對準。
（3）DuoLateralPSDs
超級線性位置傳感器采用最先進的雙橫向技術，可提供與活動區域上光點質心距中心的位移成比例的連續模擬輸出。作為連續位置傳感器，這些探測器是無與倫比的。在64%的感應區域內提供99%的位置精度。這些精度是通過雙橫向技術實現的，制造具有兩個單獨的電阻
層的探測器，一個位于芯片的頂部，另一個位于芯片的底部。使用這些傳感器可以獲得一維或二維位置測量。
（4）Tetra橫向PSD
四邊形位置傳感探測器制造有一個單一的電阻層，用于一維和二維測量。它們具有用于一維位置感測的共陽極和兩個陰極或用于二維位置感測的四個陰極。
這些探測器最適合用于需要在寬空間范圍內進行測量的應用。它們在超過64%的感應區域內提供高響應均勻性、低暗電流和良好的位置線性度。
12、塑料封裝探測器
產品介紹：
OSIOptoelectronics提供一系列高質量和可靠的塑料封裝光電二極管。它們提供各種形狀和尺寸的光電探測器和封裝，包括行業標準T1和T13/4、BPW34、平面和透鏡側觀察器以及表面貼裝系列。
（1）塑封系列
OSIOptoelectronics提供一系列高品質和可靠性的塑料封裝光電二極管。這些模制器件可提供各種形狀和尺寸的光電探測器和封裝，包括行業標準T1和T13/4、平面和透鏡側觀察器以及表面貼裝版本(SOT-23)。它們非常適合在惡劣環境中安裝在PCB和手持設備上。
（2）雙發射器系列
雙LED系列包括一個660nm（紅色）LED和一個配套的IRLED，例如880/895、905或940nm。它們廣泛用于比率測量，例如醫學分析和監測設備。它們還可用于需要低成本雙波長光源的應用。有兩種類型的引腳配置可供選擇：1.)三個引線，一個公共陽極或陰極，或2.)兩個引
線并聯背對背連接。它們有兩種包裝。透明的引線框架模制側面外觀和無鉛陶瓷基板。匹配光電探測器的響應針對660nm和近紅外波長的最大響應度進行了優化。它們表現出低電容和低暗電流，并在與雙發射器相同的兩種封裝中提供三種不同的有源區域尺寸：透明引線框
架模制側面外觀和無引線陶瓷基板。
OSI Optoelectronics硅光電二極管技術指導
