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    vaisala半導體折光儀 PR-33-S探頭用于測量中晶圓廠化學品的濃度

        

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    品牌vaisala 有效期至長期有效 最后更新2023-11-22 14:19
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    vaisala半導體折光儀 PR-33-S探頭用于測量中晶圓廠化學品的濃度

     

    vaisala半導體折光儀 PR-33-S探頭


    緊湊型折光儀,采用超純改性PTFE流通池主體,適用于半導體液體化學過程。通過 1/4 — 1 英寸的立柱或擴口接頭連接

    到工藝。

    vaisala K-PATENTS® 半導體折光儀 PR-33-S 可監測潔凈室環境和集成工藝工具(混合、清潔、蝕刻和 CMP)中晶

    圓廠化學品的濃度。


    設計

    PR-33-S 由一個超純的改性 PTFE 流通池主體和一根以太網電纜組成,任何標準 PoE(以太網供電)交換機都可以使用

    該電纜將電力傳輸到傳感器并將數據傳輸到計算機。PR-33-S 實時監測化學品濃度,并在化學品超出規格時提供以太網

    輸出信號和即時反饋。例如,可以配置低濃度和高濃度警報來控制和延長浴槽壽命。濃度是通過對溶液的折射率nD和

    溫度進行光學測量來確定的。

    PR-33-S 直接與喇叭口或支柱配件在線安裝。PR-33-S 結構緊湊,不含金屬,占用空間很小。


    關鍵要素

    N.I.S.T. 可溯源校準,使用標準 RI 液體進行驗證,并經過驗證的程序。

    獲得CORE光學器件(美國號)US6067151)。

    通過以太網的遠程面板,用于數據記錄和遠程操作。

    通信由標準 UDP/IP 協議構建。

    過程溫度范圍:-20°C – 85°C (-4°F – 185°F)。

    通過內置 Pt1000 和自動數字溫度補償實現快速過程溫度測量。

     

    PR-33-S-3.png

     

    主要優勢

    全數字化設備

    vaisala  K-PATENTS® 半導體折光儀 PR-33-S 用于過程控制和監測,并提供連續的以太網輸出信號。設計緊湊,

    設備直接在線安裝。


    在整個范圍內進行準確穩定的測量

    折射率 nD 1.3200–1.5300 的全測量范圍,相當于 0-100% 重量??蛇x范圍 nD 1.2600–1.4700 用于強 HF。 

    典型精度 R.I.+ 0.0002,通常相當于 0.1%(重量),例如水中的 HCl。

    測量不受 PPM 范圍內的顆粒、氣泡、湍流或雜質的影響。


    易于維護

    無漂移。無需重新校準。無需機械調整。


    技術數據

    折射率范圍 1.3200...1.5300

    準確度 ± 0.1%

    響應時間 1s

    工藝溫度 -20°C (-4°F)...85°C (185°F) 

    環境溫度:-20°C (-4°F)...45°C (113°F)

    保護等級 IP67

    重量 1.2 kg 

    消耗功率  1W

     

    vaisala半導體折光儀 PR-33-S探頭

    盧歡歡
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